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參數(shù)資料
| 型號： | PF48F0P0ZBQ0 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 39/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | PF48F0P0ZBQ0 |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
39
Note:
WAIT shown deasserted during asynchronous read mode (RCR[10]=0, Wait asserted low).
1.
WAIT is driven per OE# assertion during synchronous array or non-array read, and can be configured to
assert either during or one data cycle before valid data.
This diagram illustrates the case in which an n-word burst is initiated to the flash memory array and it is
terminated by CE# deassertion after the first word in the burst.
2.
Figure 18.
Asynchronous Page-Mode Read Timing
R108
R9
R7
R17
R15
R10
R4
R8
R3
R106
R101
R105
R1
R2
A[Max:2] [A]
A[1:0]
ADV#
CE# [E]
OE# [G]
WAIT [T]
DATA [D/Q]
Figure 19.
Synchronous Single-Word Array or Non-array Read Timing
R312
R305
R304
R4
R17
R307
R15
R9
R7
R8
R303
R102
R3
R104
R106
R101
R105
R2
R306
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF48F2P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F3P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F4P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F4P0VB00 | Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A |
| PF48F0P0VT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF48F0P0ZT00 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F0P0ZTQ0 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F2000P0ZBQ0 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F2000P0ZBQ0A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PF48F2000P0ZTQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
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