參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F320J3C-150
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁(yè)數(shù)： 71/72頁(yè)
文件大小： 905K
代理商： PC28F320J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
71
Appendix E Ordering Information
NOTE:
1. Speeds are for either the standard asynchronous read access times or for the first access of a page-mode read sequence.
VALID COMBINATIONS
P C 2 8 F 2 5 6 J 3 C - 1 2
Product line designator
for all Intel
Flash
products
Access Speed (ns)
1
256 Mbit = 125
128 Mbit = 150, 120
64 Mbit = 120, 115
32 Mbit = 110
A = Intel
0.25
micron lithography
C = Intel 0.18
micron lithography
Product Family
J = Intel
2 bits-per-cell
StrataFlash memory,
Device Density
256 = x8/x16 (256 Mbit)
128 = x8/x16 (128 Mbit)
640 = x8/x16 (64 Mbit)
320 = x8/x16 (32 Mbit)
Voltage (V
CC
/V
PEN
)
3 = 3 V/3 V
5
Package
E = 56-Lead TSOP (J3A, 802)
TE= 56-Lead TSOP (J3C, 803)
JS = Pb-Free 56-TSOP
RC = 64-Ball Easy BGA
GE = 48-Ball VFBGA
PC = 64-Ball Pb-Free
Easy BGA
56-Lead TSOP
64-Ball Easy BGA
48-Ball VF BGA
E28F320J3A-110
RC28F320J3A-110
GE28F320J3A-110
E28F640J3A-120
RC28F640J3A-120
GE28F320J3C-110
E28F128J3A-150
RC28F128J3A-150
GE28F640J3C-115
TE28F320J3C-110
RC28F320J3C-110
GE28F640J3C-120
TE28F640J3C-115
RC28F640J3C-115
TE28F640J3C-120
RC28F640J3C-120
TE28F128J3C-120
RC28F128J3C-120
TE28F128J3C-150
RC28F128J3C-150
TE28F256J3C-125
RC28F256J3C-125
56-Lead Pb-Free TSOP
64-Ball Pb-Free Easy BGA
JS28F256J3C125
PC28F256J3C125
JS28F128J3C120
PC28F128J3C120
JS28F640J3C115
PC28F640J3C115
JS28F320J3C110
PC28F320J3C110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F640J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F320J3D75 制造商:Intel 功能描述:MM#876051_32M FLASH
PC28F320J3D-75 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx Embedded Flash Memory
PC28F320J3D75A 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F320J3D75B 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F320J3D75D 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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