參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F320J3C-150
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁數(shù)： 7/72頁
文件大小： 905K
代理商： PC28F320J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
7
1.0
Introduction
This document describes the Intel StrataFlash
Memory (J3) device. It includes a description of
device features, operations, and specifications.
1.1
Nomenclature
AMIN:
AMIN = A0 for x8
AMIN = A1 for x16
32 Mbit
64 Mbit
128 Mbit
256 Mbit
A group of flash cells that share common erase circuitry and erase simultaneously
Indicates a logic zero (0)
Command User Interface
Multi-Level Cell
One Time Programmable
Protection Lock Register
Protection Register
Protection Register Data
To write data to the flash array
Reserved for Future Use
Indicates a logic one (1)
Status Register
Status Register Data
Refers to a signal or package connection name
Refers to timing or voltage levels
Write State Machine
Extended Configuration Register
eXtended Status Register
AMAX:
AMAX = A21
AMAX = A22
AMAX = A23
AMAX = A24
Block:
Clear:
CUI:
MLC:
OTP:
PLR:
PR:
PRD
Program:
RFU:
Set:
SR:
SRD:
VPEN:
V
PEN
:
WSM:
ECR:
XSR:
1.2
Conventions
0x:
0b:
k (noun):
M (noun):
Nibble
Byte:
Word:
Kword:
Kb:
KB:
Mb:
MB:
Brackets:
Hexadecimal prefix
Binary prefix
1,000
1,000,000
4 bits
8 bits
16 bits
1,024 words
1,024 bits
1,024 bytes
1,048,576 bits
1,048,576 bytes
Square brackets ([]) will be used to designate group membership or to define a
group of signals with similar function (i.e., A[21:1], SR[4,1] and D[15:0]).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F640J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F320J3D75 制造商:Intel 功能描述:MM#876051_32M FLASH
PC28F320J3D-75 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx Embedded Flash Memory
PC28F320J3D75A 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F320J3D75B 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F320J3D75D 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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