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參數(shù)資料
| 型號： | PBSS4350T |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管 | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | PBSS4350T |
2003 Jan 30
9
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS4350X | 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBTAMFR95BK300R | BRAID SLEEVING 300M |
| PBTAMFR127BK300R | BRAID SLEEVING 300M |
| PBTAMFR127BK50C | BRAID SLEEVING 50M |
| PBTAMFR190BK200R | BRAID SLEEVING 200M |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBSS4350T T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4350T,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4350T215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR NPN 50V 2A 3-SOT-23 |
| PBSS4350X | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:550mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C;;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 3A SOT89,PBSS4350X |
| PBSS4350X /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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