參數(shù)資料
型號： PBSS4350T
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管 | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： PBSS4350T
2003 Jan 30
4
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
300
300
200
75
150
TYP.
50
70
150
300
150
MAX.
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
= 40 V; I
E
= 0
V
CB
= 40 V; I
E
= 0; T
amb
= 150
°
C
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 500 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V; I
C
= 2 A; note 1
I
C
= 100 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; note 1
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; note 1
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; note 1
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
100
50
100
100
900
75
100
190
400
<190
1.2
1.1
nA
μ
A
nA
nA
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
mV
mV
m
V
V
MHz
R
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
C
c
collector capacitance
10
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS4350X 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBTAMFR95BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK50C BRAID SLEEVING 50M
PBTAMFR190BK200R BRAID SLEEVING 200M
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBSS4350T T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350T,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350T215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR NPN 50V 2A 3-SOT-23
PBSS4350X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:550mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C;;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 3A SOT89,PBSS4350X
PBSS4350X /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*