參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS4350T
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管 | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
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代理商： PBSS4350T
2003 Jan 30
6
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
handbook, halfpage
(A)
0
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.4
VCE (V)
0.8
1.2
1.6
MHC475
(7)
(8)
(10)
(6)
(5)
(4)
(9)
(1)
(2)
(3)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= 3 mA.
(2) I
B
= 2.7 mA.
(3) I
B
= 2.4 mA.
(4) I
B
= 2.1 mA.
(5) I
B
= 1.8 mA.
(6) I
B
= 1.5 mA.
(7) I
B
= 1.2 mA.
(8) I
B
= 0.9 mA.
(9) I
B
= 0.6 mA.
(10) I
B
= 0.3 mA.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
RCEsat
(
)
MHC476
10
2
1
10
1
10
10
1
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
10
4
(3)
(1)
(2)
Fig.7
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS4350X 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBTAMFR95BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK50C BRAID SLEEVING 50M
PBTAMFR190BK200R BRAID SLEEVING 200M
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參數(shù)描述
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