參數資料
型號： PBSS4350T
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管 | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
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代理商： PBSS4350T
2003 Jan 30
2
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High collector current gain (h
FE
) at high I
C
High efficiency leading to reduced heat generation
Reduced printed-circuit board area requirements.
APPLICATIONS
Power management:
– DC-DC converter
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD back lighting.
Peripheral driver:
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs)
– Inductive load drivers (e.g. relay, buzzers and
motors).
DESCRIPTION
NPN transistor providing low V
CEsat
and high current
capability in a SOT666 plastic package.
PNP complement: PBSS5240V.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
collector
collector
base
emitter
collector
collector
handbook, halfpage
1
2
3
4
6
5
Top view
3
1, 2, 5, 6
4
MAM444
Fig.1 Simplified outline (SOT666) and symbol.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS4240V
42
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
I
CRP
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
40
2
2
<190
V
A
A
m
相關PDF資料
PDF描述
PBSS4350X 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBTAMFR95BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK50C BRAID SLEEVING 50M
PBTAMFR190BK200R BRAID SLEEVING 200M
相關代理商/技術參數
參數描述
PBSS4350T T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350T,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350T215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR NPN 50V 2A 3-SOT-23
PBSS4350X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:550mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C;;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 3A SOT89,PBSS4350X
PBSS4350X /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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