參數(shù)資料
型號(hào)： NTF3055L175
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level N-Channel SOT-223(2A,60V邏輯電平,N通道，SOT-223封裝的功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 2.0甲，60伏特，邏輯電平N溝道的SOT - 223（第2A，60V的邏輯電平，?通道，采用SOT - 223封裝的功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 63K
代理商： NTF3055L175
NTF3055L175
http://onsemi.com
3
0
0.5
2
3.5
2.5
1.5
1
3
4
0
0.5
2
3.5
2.5
1.5
1
3
4
0.8
2.8
0
3.2
2
0.4
1.2
1.6
2.4
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
V
GS,
GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 55
°
C
0.28
0.24
0.2
0.16
0.12
0
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
V
GS
= 10 V
2
1.8
1.6
1.4
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
50
50
25
0
25
75
125
100
I
D
= 1 A
V
GS
= 5 V
0.8
0.6
150
1
10
1000
V
DS,
DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
40
60
30
20
10
50
100
0
0.8
2.0
2.8
1.6
0.8
V
DS,
DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
0
0.4
3.2
V
GS
= 5 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 3 V
1.6
0.4
1.2
2.0
1
4.2
1.8
3.4
1.4
2.2
2.6
3
3.8
0.08
0.04
1.2
1.2
0.28
0.24
0.2
0.16
0.12
0
0.08
0.04
1
175
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 4 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 55
°
C
V
DS
≥
10 V
V
GS
= 0 V
2.4
2.8
2.4
T
J
= 125
°
C
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PDF描述
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NTF3055L175T3 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTF3055L175T3G 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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