參數(shù)資料
型號： NTE459
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： N-Channel Silicon JFET Transistor AF Amplifier/Chopper/Switch
中文描述： N溝道硅場效應(yīng)晶體管放大器自動對焦/斬波器/開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 22K
代理商： NTE459
NTE459
N–Channel Silicon JFET Transistor
AF Amplifier/Chopper/Switch
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage, V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain–Gate Voltage, V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate–Source Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain Current, I
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50V
50V
–50V
10mA
300mW
2mW/
°
C
+175
°
C
–55
°
to +200
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
= –1
μ
A, V
DS
= 0
I
GSS
V
GS
= –30V, V
DS
= 0
V
GS
= –30V, V
DS
= 0, T
A
= +150
°
C
V
GS(off)
I
D
= 0.5nA, V
DS
= 15V
V
GS
I
D
= 200
μ
A, V
DS
= 15V
–50
–
–
V
Gate Reverse Current
–
–
–0.1
nA
–
–
–100
nA
Gate–Source Cutoff Voltage
–
–
–6
V
Gate–Source Voltage
–1
–
–4
V
ON Characteristics
Zero–Gate–Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, Note 1
2
–
10
mA
Small–Signal Characteristics
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1kHz,
Note 1
3000
–
6500
μ
mho
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 100MHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1kHz,
Note 1
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz
3000
–
–
μ
mho
μ
mho
Output Admittance
|y
os
|
–
–
20
Input Capacitance
C
iss
C
rss
–
–
6
pF
Reverse Transfer Capacitance
–
–
3
pF
Note 1. Pulse Test: Pulse Width
≤
100ms, Duty Cycle
≤
10%.
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