參數(shù)資料
型號： NTE389
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor Horizontal Output
中文描述： 硅NPN晶體管輸出水平
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 20K
代理商： NTE389
NTE389
Silicon NPN Transistor
Horizontal Output
Description:
The NTE389 is a high voltage silicon NPN power transistor in a TO3 type case designed for use in
CRT horizontal deflection circuits.
Features:
Collector–Emitter Voltage: V
CEX
= 1500V
Glass Passivated Base–Collector Junction
Forward Bias Safe Operating Area @ 50
μ
s = 20A, 300V
Switching Times with Inductive Loads: t
f
= 0.5
μ
s (Typ) @ I
C
= 3A
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Emitter Voltage, V
CEX
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Continuous Collector Current, I
C
Continuous Base Current, I
B
Continouos Emitter Current, I
E
Total Power Dissipation, P
D
T
C
= +25
°
C
T
C
= +100
°
C
Derate Above +25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Maximum Lead Temperature (For Soldering, 1/8” from Case for 5sec), T
L
750V
1500V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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5V
4A
3A
7A
100W
40W
0.8W/
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–65
°
to +150
°
C
–65
°
to +150
°
C
1.25
°
C/W
+275
°
C
. . . . . . . . . . . . . .
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