參數(shù)資料
型號： NTE397
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon PNP Transistor Power Amplifier & High Speed Switch (Compl to NTE396)
中文描述： 硅PNP晶體管功率放大器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 18K
代理商： NTE397
NTE397
Silicon PNP Transistor
Power Amplifier & High Speed Switch
(Compl to NTE396)
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Continuous Collector Current, I
C
Base Current, I
B
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
300V
350V
6V
1A
500mA
10W
57mW/
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–65
°
to +200
°
C
–65
°
to +200
°
C
17.5
°
C/W
150
°
C/W
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics
DC Current Gain
Small–Signal Characteristics
Output Capacitance
Input Capacitance
Small–Signal Current Gain
Real Part of Input Impedance
V
CEO(sus)
I
C
= 50mA, I
B
= 0, Note 1
I
CBO
V
CB
= 280V, I
E
= 0
I
EBO
V
EB
= 6V, I
C
= 0
300
–
–
–
–
–
–
V
μ
A
μ
A
50
20
h
FE
I
C
= 50mA, V
CE
= 10V
30
–
120
C
obo
C
ibo
h
fe
Re(h
ie
)
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
V
CB
= 5V, I
C
= 0, f = 1MHz
I
C
= 10mA, V
CE
= 10V, f = 1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA, f = 1MHz
–
–
–
–
–
–
15
75
–
300
pF
pF
25
–
Note 1. Pulse Test; Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
CAUTION:
The sustaining voltage
must not
be measured on a curve tracer.
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