參數(shù)資料
型號(hào)： NTE390
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors General Purpose
中文描述： 硅晶體管通用互補(bǔ)
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 21K
代理商： NTE390
NTE390 (NPN) & NTE391 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
General Purpose
Description:
The NTE390 (NPN) and NTE391 (PNP) are silicon compelementary transistors in a TO218 type package
designed for general purpose power amplifier and switching applications.
Features:
10A Collector Current
Low Leakage Current: I
CEO
= 0.7mA @ V
CE
= 60V
Excellent DC Gain: h
FE
= 40 Typ @ 3A
High Current Gain Bandwidth Product: h
fe
= 3 Min @ I
C
= 500mA, f = 1MHz
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CB
Emitter–Base Voltage, V
EB
Collector Current, I
C
Continuous
Peak (Note 1)
Continuous Base Current, I
B
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 10ms, Duty Cycle
≤
10%.
100V
100V
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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10A
15A
3A
80W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.64W/
°
C
–65
°
to +150
°
C
–65
°
to +150
°
C
1.56
°
C/W
35.7
°
C/W
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