參數(shù)資料
型號(hào): NTE340
廠商: NTE Electronics, Inc.
英文描述: Silicon NPN Transistor RF Power Output, High Frequency
中文描述: 硅NPN晶體管射頻輸出功率,高頻率
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 19K
代理商: NTE340
NTE340
Silicon NPN Transistor
RF Power Output, High Frequency
Features:
High Transition Frequency
Output of 0.6W can be obtained in the VHF Band (f = 175MHz).
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Collector Voltage, I
CP
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
j
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 20V, I
E
= 0
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 13.5V, I
C
= 100mA
Transition Frequency
f
T
V
CB
= 10V, I
E
= –100mA, f = 200MHz
Collector Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
High–Frequency Output
P
O
V
CC
= 13.5V, P
I
= 0.03W, f = 175MHz
Overall Efficiency
η
V
CC
= 13.5V, P
I
= 0.03W, f = 175MHz
36V
16V
3V
0.5A
0.3A
1W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Test Conditions
Min
20
1.5
0.6
Typ
50
2
4
0.9
60
Max
10
8
Unit
μ
A
GHz
pF
W
%
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