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參數(shù)資料
| 型號： | NTE2557 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor Darlington, High Voltage Switch, Power Amp |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管達林頓，高壓開關(guān)，功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NTE2557 |
NTE2557
Silicon NPN Transistor
Darlington, High Voltage Switch, Power Amp
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, V
CBO
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Collector Current, I
C
Continuous
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Transistor Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
200V
200V
7V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15A
22A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1A
2A
100W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
1.25
°
C/W
Electrical Characteristics:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
f
T
V
CE(sat)
V
BE(sat)
t
on
t
stg
t
f
Test Conditions
V
CB
= 200V
V
CE
= 200V
V
EB
= 7V
V
CE
= 3V, I
C
= 10A
V
CE
= 10V, I
C
= 1.5A
I
C
= 10A, I
B
= 30mA
I
C
= 10A, I
B
= 30mA
I
B1
= I
B2
= 30mA,
I
C
= 10A, R
L
= 3
,
V
BB2
= 4V
Min
–
–
–
1500
–
–
–
–
–
–
Typ
–
–
–
–
20
–
–
–
–
–
Max
0.1
0.1
5.0
30000
–
1.5
2.0
2
8
5
Unit
mA
mA
mA
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Transistion Frequency
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Turn–On Time
Storage Time
Fall Time
MHz
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NTE2560 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP SI DARLINGTON |
| NTE2561 | 制造商:NTE Electronics 功能描述: |
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