參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2505
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor Low Frequency, General Purpose Amp
中文描述： 硅NPN晶體管低頻，通用放大器
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 22K
代理商： NTE2505
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Collector Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
I
C
= 1mA, R
BE
=
∞
Emitter Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Turn
–
On Time
t
on
Storage Time
t
stg
Fall Time
t
f
Test Conditions
Min
30
25
15
–
–
–
Typ
–
–
–
0.14
1.35
0.1
Max
–
–
–
–
–
–
Unit
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
V
CC
= 10V, V
BE
=
–
5V,
100I
B1
=
–
100I
B2
= I
C
= 700mA,
Pulse Width = 20
μ
s,
Duty Cycle
≤
1%
.039 (1.0)
.039 (1.0)
.137
(3.5)
.122
(3.1)
.177
(4.5)
.161
(4.1)
.271 (6.9)
.098
(2.5)
.098 (2.5)
B
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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