參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2505
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor Low Frequency, General Purpose Amp
中文描述： 硅NPN晶體管低頻，通用放大器
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 22K
代理商： NTE2505
NTE2505
Silicon NPN Transistor
Low Frequency, General Purpose Amp
Features:
High Current Capacity
High DC Current Gain
Low Collector Emitter Saturation Voltage
High Emitter Base Breakdown Voltage
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30V
25V
15V
2A
4A
400mA
1W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Test Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
EB
= 10V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 500mA
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
V
CE
= 10V, I
C
= 50mA
V
CB
= 10V, f = 1MHz
I
C
= 1A, I
B
= 20mA
I
C
= 1A, I
B
= 20mA
Min
–
–
800
600
–
–
–
–
Typ
–
–
1500
–
260
27
0.15
0.85
Max
100
100
3200
–
–
–
0.5
1.2
Unit
nA
nA
Gain–Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
f
T
MHz
pF
V
V
C
ob
V
CE(sat)
V
BE(sat)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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