參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2359
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In 47k Bias Resistors
中文描述： 硅晶體管互補(bǔ)數(shù)字瓦特/ 2內(nèi)置47k偏置電阻
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 24K
代理商： NTE2359
Electrical Characteristics (Cont
’
d):
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector
–
Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
I(off)
V
I(on)
R
1
R
1
/R
2
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 100
μ
A, R
BE
=
∞
V
CE
= 5V, I
C
= 100
μ
A
V
CE
= 200mV, I
C
= 5mA
–
0.1
0.3
V
Collector
–
Base Breakdown Voltage
50
–
–
V
Collector
–
Emitter Breakdown Voltage
50
–
–
V
Input OFF Voltage
0.8
1.1
1.5
V
Input ON Voltage
1.0
2.5
5.0
V
k
Input Resistance
32
47
62
Input Resistance Ratio
0.9
1.0
1.1
R
1
R
2
Collector
(Output)
Base
(Input)
Emitter
(GND)
PNP
NPN
R
1
R
2
Collector
(Output)
Base
(Input)
Emitter
(GND)
Schematic Diagram
E C B
.165 (4.2)
Max
.071
(1.8)
.126
(3.2)
Max
.500
(12.7)
Max
.102
(2.6)
Max
.035 (0.9)
.050 (1.27)
.050 (1.27)
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PDF描述
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