參數(shù)資料
型號： NTD4808N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET(功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET（功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： NTD4808N
NTD4808N
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Figure 13. Avalanche Characteristics
1000
1
100
PULSE WIDTH ( s)
I
10
10
125
°
C
1
100
100
°
C
25
°
C
Figure 14. Thermal Response
r
(
t, TIME ( s)
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1.0E+00
1.0E+01
1.0E01
1.0E02
1.0E03
1.0E04
1.0E05
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NTD4808NT4G
DPAK
(PbFree)
2500 / Tape & Reel
NTD4808N1G
IPAK
(PbFree)
75 Units / Rail
NTD4808N35G
IPAK Trimmed Lead
(3.5
±
0.15 mm)
(PbFree)
75 Units / Rail
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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NTD4808N-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4808NT4G 功能描述:MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4809N 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4809N-1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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