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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTD24N06L |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 24Amps, 60Volts Logic Level N-Channel DPAK(24A, 60 V，邏輯電平，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 24 A, 60 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | NTD24N06L |
NTD24N06L
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Thermal Response
1
100
A
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
0
25
50
75
100
125
40
I
D
= 18 A
10
10
175
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
20
100
80
60
180
V
GS
= 15 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
120
1 ms
100 s
10 ms
dc
10 s
150
140
160
r
(
t, TIME ( s)
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1.0E+00
1.0E+01
1.0E01
1.0E02
1.0E03
1.0E04
1.0E05
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD2955 | Power MOSFET |
| NTD2955D | Power MOSFET |
| NTD2955G | Power MOSFET |
| NTD2955T4 | Power MOSFET |
| NTD2955T4G | Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD24N06L-001 | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD24N06L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-252AA |
| NTD24N06L-1G | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD24N06LG | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD24N06LT4 | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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