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參數(shù)資料
| 型號： | NTD24N06L |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 24Amps, 60Volts Logic Level N-Channel DPAK(24A, 60 V，邏輯電平，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 24 A, 60 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | NTD24N06L |
NTD24N06L
http://onsemi.com
3
0
0.06
30
20
0.04
0.02
0
10
40
0.08
0.1
50
2
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
1
1000
10000
0
4
20
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
0
0.06
30
20
0.04
0.02
0
10
40
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
50
50
50
25
0
25
75
125
100
1.6
2.4
4.8
0
40
30
20
60
10
3
10
30
8 V
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
150
175
V
GS
= 0 V
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
40
0.08
0.1
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
50
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
20
0
50
10
30
40
3.2
4
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
50
100
6 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
1.8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD2955 | Power MOSFET |
| NTD2955D | Power MOSFET |
| NTD2955G | Power MOSFET |
| NTD2955T4 | Power MOSFET |
| NTD2955T4G | Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD24N06L-001 | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD24N06L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-252AA |
| NTD24N06L-1G | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD24N06LG | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD24N06LT4 | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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