參數(shù)資料
型號(hào): NTB75N06T4
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: Power MOSFET
中文描述: 75 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商: NTB75N06T4
NTP75N06, NTB75N06
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 5:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
TO220
CASE 221A09
ISSUE AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
T
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB75N06T4G Power MOSFET
NTP75N06 Power MOSFET
NTP75N06D Power MOSFET
NTP75N06G Power MOSFET
NTD12N10-1 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTB75N06T4G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB794 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTB795 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTB7A16 功能描述:LCD 觸摸面板 RoHS:否 制造商:3M Touch Systems 類(lèi)型:P-MVA 大小:22 in 絕緣電阻: 封裝:Bulk
NTB85N03 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube