參數(shù)資料
型號(hào)： NTB75N06T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 75 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： NTB75N06T4
NTP75N06, NTB75N06
http://onsemi.com
5
r
(
t, TIME ( s)
Figure 13. Thermal Response
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1.0
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
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800 Tape & Reel
NTB75N06T4G
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800 Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB75N06T4G Power MOSFET
NTP75N06 Power MOSFET
NTP75N06D Power MOSFET
NTP75N06G Power MOSFET
NTD12N10-1 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTB75N06T4G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB794 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTB795 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTB7A16 功能描述:LCD 觸摸面板 RoHS:否 制造商:3M Touch Systems 類型:P-MVA 大小:22 in 絕緣電阻: 封裝:Bulk
NTB85N03 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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