參數(shù)資料
型號(hào)： NTB75N06T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 75 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： NTB75N06T4
NTP75N06, NTB75N06
http://onsemi.com
3
0
120
3
60
2
1
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
R
D
,
160
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
20
40
80
100
140
4
R
D
,
1.8
1.4
1.6
1.2
1
0.6
100
10
1000
10000
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
0
80
60
40
20
100
160
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
50
50
25
0
25
75
100
2.5
3
7
0
40
50
30
20
10
60
120
60
0
160
20
40
80
100
140
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
R
D
,
0.8
175
150
125
0.009
0.011
0.003
0.013
0.015
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 55
°
C
I
D
= 37.5 A
V
GS
= 10 V
V
DS
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 55
°
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 5.5 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 15 V
V
GS
= 6.5 V
V
GS
= 9 V
0.007
0.005
120
140
0
80
60
40
20
100
160
0.009
0.011
0.003
0.013
0.015
0.007
0.005
120
140
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB75N06T4G Power MOSFET
NTP75N06 Power MOSFET
NTP75N06D Power MOSFET
NTP75N06G Power MOSFET
NTD12N10-1 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTB75N06T4G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB794 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTB795 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTB7A16 功能描述:LCD 觸摸面板 RoHS:否 制造商:3M Touch Systems 類型:P-MVA 大小:22 in 絕緣電阻: 封裝:Bulk
NTB85N03 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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