參數(shù)資料
型號: NTB75N06L
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel TO–220(75A, 60 V,邏輯電平,N通道,TO220封裝的功率MOSFET)
中文描述: 75 A, 60 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 79K
代理商: NTB75N06L
NTP75N06L, NTB75N06L
http://onsemi.com
5
r
(
t, TIME ( s)
Figure 13. Thermal Response
0.1
1.0
0.01
0.00001
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1.0
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NTP75N06L
TO220AB
50 Units / Rail
NTB75N06L
D
2
PAK
50 Units / Rail
NTB75N06LG
D
2
PAK
(PbFree)
50 Units / Rail
NTB75N06LT4
D
2
PAK
800 Units / Tape & Reel
NTB75N06LT4G
D
2
PAK
(PbFree)
800 Units / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關PDF資料
PDF描述
NTP75N06L Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel TO–220(75A, 60 V,邏輯電平,N通道,TO220封裝的功率MOSFET)
NTB75N06 Power MOSFET
NTB75N06G Power MOSFET
NTB75N06T4 Power MOSFET
NTB75N06T4G Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NTB75N06LG 功能描述:MOSFET NFET 60V .012R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTB75N06LT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V .012R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06T4 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06T4G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube