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參數(shù)資料
| 型號： | NTB52N10 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode(52A，100V，N通道，增強模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | 52 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | NTB52N10 |
NTB52N10
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
r
(
t, TIME ( s)
0.1
1
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Thermal Response
1
A
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
025
50
75
100
125
200
I
D
= 40 A
10
10
150
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
100
500
400
300
800
1000
100
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
600
1 ms
10 ms
dc
100 s
10 s
1000
700
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB5605P | Power MOSFET |
| NTB5605PT4 | Power MOSFET |
| NTB75N03L09 | Power MOSFET 75Amps, 30Volts(75A，30V功率MOSFET) |
| NTP75N03L09 | Power MOSFET 75Amps, 30Volts(75A，30V功率MOSFET) |
| NTB75N03R | Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTB52N10G | 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB52N10G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTB52N10T4 | 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB52N10T4G | 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB5404N | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N−Channel, D2PAK & TO−220 |
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