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參數(shù)資料
| 型號： | NTB22N06L |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 22Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(22A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO-220封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 22 A, 60 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 418B-03, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | NTB22N06L |
NTP22N06L, NTB22N06L
http://onsemi.com
4
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
V
SD
, SOURCE–TO–DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
S
,
t
V
DS
, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
I
D
,
E
A
,
A
100
10
1
0.1
1000
100
1
6
5
4
3
2
1
0
80
60
20
40
0
24
20
16
12
4
0
0.6
10
1600
10
1400
1200
15
5
0
20
1000
800
600
400
0
5
Figure 8. Gate–to–Source and
Drain–to–Source Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
25
0
10
8
4
1
10
100
0.76
0.68
0.92
1.08
0.1
10
100
1
25
125
150
100
75
175
50
200
0.84
10
12
1
I
D
= 22 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 15 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 30 V
I
D
= 22 A
V
GS
= 5 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 12 A
t
f
t
d(off)
t
d(on)
t
r
R
Limit
Thermal Limit
Package Limit
Q
T
Q
2
Q
1
10 ms
1 ms
100
μ
s
dc
V
GS
V
DS
8
10
μ
s
2
6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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