參數(shù)資料
型號(hào)： NTB22N06L
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 22Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(22A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO-220封裝的功率MOSFET)
中文描述： 22 A, 60 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-03, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： NTB22N06L
NTP22N06L, NTB22N06L
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
TO–220 THREE–LEAD
TO–220AB
CASE 221A–09
ISSUE AA
STYLE 5:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3
SOURCE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
---
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
---
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
---
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
---
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTP22N06L Power MOSFET 22Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(22A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO-220封裝的功率MOSFET)
NTB23N03R Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N-Channel(23A，25V，N通道的功率MOSFET)
NTB25P06 Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
NTB25P06G Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
NTB25P06T4 Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTB22N06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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NTB23N03R 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NTB23N03RT4 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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