參數(shù)資料
型號： NSTB60BDW1T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination(PNP通用與NPN偏置電阻晶體管組合)
中文描述： 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419B-02, 6 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： NSTB60BDW1T1
NSTB60BDW1T1
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
SOT–363
CASE 419B–02
ISSUE J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
MIN
0.071
0.045
0.031
0.004
0.026 BSC
---
0.004
0.004
0.008 REF
0.079
MAX
0.087
0.053
0.043
0.012
MIN
1.80
1.15
0.80
0.10
0.65 BSC
---
0.10
0.10
0.20 REF
2.00
MAX
2.20
1.35
1.10
0.30
MILLIMETERS
INCHES
0.10
0.25
0.30
0.004
0.010
0.012
2.20
0.087
B
0.2 (0.008)
M
M
1
2
3
A
G
S
H
C
N
J
K
6
5
4
–B–
D
6 PL
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 2
2. BASE 2
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. BASE 1
6. COLLECTOR 2
相關PDF資料
PDF描述
NSTM515AS SPECIFICATIONS FOR NICHIA FULL COLOR LED
NSVA288 JRC SAW FILTER
NSVA301 JRC SAW FILTER
NSVA321 814.5MHz CORDLESS
NSVA339 JRC SAW FILTER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NSTB60BDW1T1/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor combination
NSTB60BDW1T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS GP XSTR NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSTHS4101PT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NSTHS5404T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NSTJD1155LT1G 功能描述:MOSFET NFET 8V 1.3A 175MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*