參數(shù)資料
型號(hào): NSS30101LT1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 30 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 2A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
中文描述: 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 60K
代理商: NSS30101LT1G
NSS30101LT1G
http://onsemi.com
3
100 ms
10 ms
1 ms
Figure 3. h
FE
versus I
c
0.001
2
0.01
0.1
800
0
100
h
F
I
c
(A)
200
300
400
500
600
700
Figure 4. V
BE(on)
versus I
c
0.001
2
0.01
0.1
1.2
0
V
B
(
I
c
(A)
0.2
0.4
0.6
0.8
Figure 5. V
BE(sat)
versus I
c
0.001
2
0.01
0.1
1.2
0
V
B
(
I
c
(A)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Figure 6. Safe Operating Area
0.1
100
1
10
10
0.01
I
C
C
V
CE
(V)
0.1
1
1
+125
°
C
+25
°
C
55
°
C
V
CE
= 5 V
1
1.0
+125
°
C
+25
°
C
55
°
C
V
CE
= 5 V
1
I
c
/I
b
= 100
I
c
/I
b
= 10
SINGLE PULSE T
amb
= 25
°
C
1 s
dc
0.1
Figure 7. Normalized Thermal Response
t, TIME (sec)
1.0E+00
1.0E03
1.0E02
1E05
0.01
0.1
1.0
100
1000
1.0E01
0.0001
0.001
10
Rt
D = 0.01
0.02
0.05
r(t)
0.2
0.5
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PDF描述
NSS30201MR6T1G 30V, 3A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 3A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
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參數(shù)描述
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NSS35200CF8T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS35200CF8T1G_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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NSS35200MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2