參數(shù)資料
型號(hào)： NSS30101LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 2A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NSS30101LT1G
NSS30101LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
30
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 0.1 mAdc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 0.1 mAdc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.1
Adc
CollectorEmitter Cutoff Current
(V
CES
= 30 Vdc)
I
CES
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 4.0 Vdc)
I
EBO
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 3)
(I
C
= 50 mA, V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 0.5 A, V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 5.0 V)
h
FE
300
300
200
900
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA)
(I
C
= 0.5 A, I
B
= 50 mA)
(I
C
= 0.1 A, I
B
= 1.0 mA)
V
CE(sat)
0.200
0.125
0.075
V
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.1 A)
V
BE(sat)
1.1
V
BaseEmitter Turnon Voltage (Note 3)
(I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 2.0 V)
V
BE(on)
1.1
V
Cutoff Frequency
(I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V, f = 100 MHz
f
T
100
MHz
Output Capacitance (f = 1.0 MHz)
C
obo
15
pF
3. Pulsed Condition: Pulse Width = 300 sec, Duty Cycle
≤
2%
Figure 1. V
CE
versus I
b
0.001
0.2
0.01
0.1
1.0
0
0.1
V
C
(
I
b
(A)
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Figure 2. V
CE
versus I
c
0.001
2
0.01
0.1
1.0
0
0.1
V
C
(
I
c
(A)
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I
C
= 2 A
I
C
= 1 A
I
C
= 500 mA
I
C
= 100 mA
I
c
/I
b
= 100
I
c
/I
b
= 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSS30201MR6T1G 30V, 3A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 3A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
NSS35200CF8T1G High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
NSS35200MR6T1G 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(35V, 5A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS40200LT1G 40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(40V, 4.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS40500UW3T2G 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(40V, 6.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSS30201MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS35200CF8T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS35200CF8T1G_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS35200CF8TIG 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NSS35200MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*