參數(shù)資料
型號(hào)： NSS12200L
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： 12V, 4.0A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 4.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述： 12V的，4.0a上，低Vce（sat）PNP晶體管（12V的，4.0a上，低的Vce（星期六）進(jìn)步黨晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 102K
代理商： NSS12200L
NSS12200LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector
Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=
10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
12
Vdc
Collector
Base Breakdown Voltage
(I
C
=
0.1 mAdc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
12
Vdc
Emitter
Base Breakdown Voltage
(I
E
=
0.1 mAdc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
7.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
=
12 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=
7.0 Vdc)
I
EBO
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 4)
(I
C
=
10 mA, V
CE
=
2.0 V)
(I
C
=
500 mA, V
CE
=
2.0 V)
(I
C
=
1.0 A, V
CE
=
2.0 V)
(I
C
=
2.0 A, V
CE
=
2.0 V)
h
FE
250
250
200
150
300
Collector
Emitter Saturation Voltage (Note 4)
(I
C
=
0.1 A, I
B
=
0.010 A) (Note 5)
(I
C
=
1.0 A, I
B
=
0.100 A)
(I
C
=
1.0 A, I
B
=
0.010 A)
(I
C
=
2.0 A, I
B
=
0.200 A)
V
CE(sat)
0.008
0.065
0.100
0.130
0.011
0.090
0.120
0.180
V
Base
Emitter Saturation Voltage (Note 4)
(I
C
=
1.0 A, I
B
=
0.1 A)
V
BE(sat)
0.900
V
Base
Emitter Turn
on Voltage (Note 4)
(I
C
=
1.0 A, V
CE
=
2.0 V)
V
BE(on)
0.900
V
Cutoff Frequency
(I
C
=
100 mA, V
CE
=
5.0 V, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
Input Capacitance (V
EB
=
0.5 V, f = 1.0 MHz)
Cibo
350
pF
Output Capacitance (V
CB
=
3.0 V, f = 1.0 MHz)
Cobo
120
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay (V
CC
=
10 V, I
C
= 750 mA, I
B1
= 15 mA)
t
d
60
ns
Rise (V
CC
=
10 V, I
C
= 750 mA, I
B1
= 15 mA)
t
r
120
ns
Storage (V
CC
=
10 V, I
C
= 750 mA, I
B1
= 15 mA)
t
s
250
ns
Fall (V
CC
=
10 V, I
C
= 750 mA, I
B1
= 15 mA)
4. Pulsed Condition: Pulse Width = 300 msec, Duty Cycle
≤
2%.
5. Guaranteed by design but not tested.
t
f
130
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSS12200WT1G 12V, 3A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 3A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS12500UW3T2G 12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 8.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS20200LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 4.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS20300MR6T1G 20V, 5A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V,5A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
NSS20500UW3T2G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 7.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSS12200LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS12200LT1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS12200WT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 12V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS12200WT1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:12 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS12201LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*