參數(shù)資料
型號(hào)： NSDEMN11XV6T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Common Cathode Quad Array Switching Diode
中文描述： 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： NSDEMN11XV6T1
NSDEMN11XV6T1, NSDEMN11XV6T5
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
100
0.2
0.4
V
F
, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6
0.8
1.0
1.2
10
1.0
0.1
10
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
50
I
Figure 1. Forward Voltage
Figure 2. Reverse Current
Figure 3. Diode Capacitance
T
A
= 150
°
C
T
A
= 125
°
C
T
A
= 85
°
C
T
A
= 55
°
C
T
A
= 25
°
C
IR
μ
A
T
A
= 85
°
C
T
A
= 40
°
C
T
A
= 25
°
C
1.0
0
0.9
0.8
0.7
0.6
2
4
6
8
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
A
R
L
t
r
t
p
t
10%
90%
V
R
t
p
= 2 s
t
r
= 0.35 ns
I
F
t
rr
t
I
rr
= 0.1 I
R
I
F
= 5.0 mA
V
R
= 6 V
R
L
= 100
RECOVERY TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
INPUT PULSE
OUTPUT PULSE
Figure 4. Reverse Recovery Time Test Circuit for the NSDEMN11XV6T1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSDEMN11XV6T5 Common Cathode Quad Array Switching Diode
NSDEMP11XV6T1 Common Anode Quad Array Switching Diode
NSDEMP11XV6T5 Common Anode Quad Array Switching Diode
NSE-5310 0,488μm/step (I2C, PWM)
NSF2250WT1 NPN Silicon Oscillator and Mixer Transistor(NPN硅振蕩器與混頻晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSDEMN11XV6T1G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 80V 100mA Quad Common Cathode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
NSDEMN11XV6T5 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 80V 100mA Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
NSDEMN11XV6T5G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 80V 100mA Quad Common Cathode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
NSDEMP11XV6T1 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 80V 100mA Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
NSDEMP11XV6T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Common Anode Quad Array Switching Diode
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