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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NSAM266SVLJ |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 元件分類： | FLASH |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 571K |
| 代理商： | NSAM266SVLJ |
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1.0 Hardware
(Continued)
TL/EE/12584–19
Note 1:
This cycle may be either TI (Idle), T3 or T3H.
Note 2:
Data can be driven by an external device at T2W1, T2W, T2 and T3.
Note 3:
This cycle may be either Tl (Idle) or T1.
FIGURE 1-17. ROM Read Cycle Timing
TL/EE/12584–20
FIGURE 1-18. MICROWIRE Transaction TimingDData Transmitted to Output
http://www.national.com
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSAM266SA | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| NSAM266SAA | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
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| NSB9435T1 | High Current Bias Resistor Transistors(高強(qiáng)度電流偏置電阻晶體管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NSAM2AS1018VDC | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:Suitable for automobile accessories |
| NSAM2AS1024VDC | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:Suitable for automobile accessories |
| NSAM2AS103VDC | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:Switching capacity up to 20A |
| NSAM2AS105VDC | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:Suitable for automobile accessories |
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