參數(shù)資料
型號(hào)： NESG2031M05
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR
中文描述： 鄰舍npn型硅鍺高頻陳德良SIS的職權(quán)范圍
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： NESG2031M05
NESG2031M05
Input Power, P
in
(dBm)
O
o
OUTPUT POWER, COLLECTOR CUR-
RENT vs. INPUT POWER
OUTPUT POWER, COLLECTOR CUR-
RENT vs. INPUT POWER
Input Power, P
in
(dBm)
O
o
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25°C)
Input Power, P
in
(dBm)
O
o
OUTPUT POWER, COLLECTOR CUR-
RENT vs. INPUT POWER
Collector Current, I
C
(mA)
N
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
N
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
N
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
C
C
C
C
C
C
A
a
A
a
A
a
V
CE
= 3 V, f = 2 GHz
I
cq
= 20 mA (RF OFF)
20
15
10
5
0
-5
50
40
10
20
30
0
-25
-15
-10
-5
-20
0
P
out
I
C
V
CE
= 3 V, f = 3 GHz
I
cq
= 20 mA (RF OFF)
20
15
10
5
0
-5
50
40
10
20
30
0
-20
-10
-5
0
-15
5
P
out
I
C
V
CE
= 3 V, f = 5.2 GHz
I
cq
= 20 mA (RF OFF)
20
15
10
5
0
-5
50
40
10
20
30
0
-15
-5
0
5
-10
10
P
out
I
C
6
5
3
2
1
4
0
30
5
10
15
20
25
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 1 GHz
G
a
NF
6
5
3
2
1
4
0
30
5
10
15
20
25
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
f = 1 GHz
G
a
NF
6
5
3
2
1
4
0
30
5
10
15
20
25
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
G
a
NF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NESG2031M05-T1 NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR
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參數(shù)描述
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