參數(shù)資料
型號： NESG2031M05
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR
中文描述： 鄰舍npn型硅鍺高頻陳德良SIS的職權(quán)范圍
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 156K
代理商： NESG2031M05
NESG2031M05
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
C
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25°C)
Collector Current, l
C
(mA)
D
F
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Collector Current, l
C
(mA)
D
F
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, l
C
(mA)
D
F
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, l
C
(mA)
G
T
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 3 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
35
20
25
30
15
5
10
0
1
2
3
4
5
6
I
B
= 20 A
120 A
200 A
180 A
140 A
160 A
80 A
60 A
40 A
100 A
1 000
100
10
1
0.1
10
100
V
CE
= 1 V
1 000
100
10
1
0.1
10
100
V
CE
= 2 V
1 000
100
10
1
0.1
10
100
V
CE
= 3 V
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
35
5
10
15
20
25
30
0
10
1
100
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PDF描述
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