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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE960R5 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| 中文描述： | 0.5蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | NE960R5 |
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
6
NE960R2 SERIES
[NE961R200]
TEST CONDITIONS: V
DS
= 9 V, I
Dset
= 90 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
0.85
0.80
0.78
0.77
0.77
0.76
0.74
0.74
0.74
0.74
0.74
0.76
0.77
0.77
0.78
0.77
0.78
92
114
128
142
143
146
149
152
157
163
171
176
178
175
172
168
164
8.08
3.83
3.17
2.64
2.25
1.99
1.71
1.60
1.47
1.37
1.29
1.25
1.06
0.96
0.89
0.88
0.68
152
146
135
108
80
52
28
2
30
57
83
107
131
167
162
134
107
0.056
0.058
0.060
0.064
0.067
0.066
0.065
0.082
0.072
0.076
0.102
0.074
0.113
0.098
0.114
0.115
0.165
112
136
172
154
117
88
40
11
29
70
107
133
180
165
117
76
55
0.40
0.36
0.34
0.33
0.34
0.37
0.40
0.44
0.47
0.49
0.50
0.52
0.52
0.53
0.54
0.52
0.52
39
52
60
70
80
87
94
98
99
103
107
111
117
122
127
131
141
Caution S-parameters include bond wires.
Gate
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Drain
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Source: Total 4 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Wire
: 25
μ
m diameter, gold.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE961R500 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE962R575 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE97733 | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE97733-T1 | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE97833 | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE960R500 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R575 | 功能描述:MOSFET X KU Band MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NE960R575_01 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5W X, Ku-BAND POWER GaAs FET |
| NE961R200 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE961R500 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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