參數(shù)資料
型號(hào)： NE960R575
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.5蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： NE960R575
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
7
NE960R2 SERIES
PACKAGE DIMENSIONS
PACKAGE CODE-75 (Unit: mm)
1.8
2.7
7.0
9.8 MAX.
0
0.5
Gate
2
1
2
2
3
3
φ
Drain
PHYSICAL DIMENSIONS
NE960R200 (CHIP) (Unit:
μ
m)
NE961R200 (CHIP) (Unit:
μ
m)
G
D
Source
285
80
150
880
80
150
80
285
285
9
9
9
9
5
Remark
Chip thickness
G
D
Source is grounded through via hole.
: 100 m
: Gate
: Drain
G
D
Source
285
80
150
880
80
150
80
285
285
9
9
9
9
5
Remark
Chip thickness
G
D
: 140 m
: Gate
: Drain
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PDF描述
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