參數(shù)資料
型號(hào): NE960R575
廠商: NEC Corp.
英文描述: 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述: 0.5蠟質(zhì),Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/12頁(yè)
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代理商: NE960R575
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
3
NE960R2 SERIES
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
30
25
20
15
10
60
45
30
15
0
5
10
15
f = 14.5 GHz (1 tone),
V
DS
= 9 V, I
Dset
= 90 mA
R
g
= 1 k
20
25
OUTPUT POWER AND POWER ADDED EFFICIENCY vs. INPUT POWER
η
O
o
P
5
10
15
20
25
5
10
15
20
25
200
150
100
50
0
14
12
10
8
6
DRAIN CURRENT AND GAIN vs. INPUT POWER
Input Power P
in
(dBm)
GATE CURRENT vs. INPUT POWER
Input Power P
in
(dBm)
Input Power P
in
(dBm)
D
D
G
1.5
1.0
0.5
0.0
–0.5
G
g
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PDF描述
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NE97733 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel