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參數(shù)資料
| 型號： | NE960R575 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| 中文描述： | 0.5蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | NE960R575 |
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
5
NE960R2 SERIES
[NE960R200]
TEST CONDITIONS: V
DS
= 9 V, I
Dset
= 90 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
0.87
0.84
0.82
0.82
0.82
0.81
0.79
0.77
0.79
0.80
0.80
0.82
0.84
0.83
0.84
0.83
0.84
97
117
131
139
145
148
150
153
157
162
169
176
178
178
175
173
170
7.60
3.84
2.98
2.46
2.10
1.85
1.57
1.45
1.33
1.23
1.17
1.13
0.95
0.83
0.78
0.74
0.59
166
147
135
109
82
54
29
1
30
56
82
104
129
165
165
137
112
0.061
0.062
0.065
0.069
0.069
0.064
0.059
0.072
0.059
0.057
0.070
0.043
0.061
0.048
0.049
0.044
0.061
104
124
159
173
141
118
72
47
13
24
56
79
128
137
172
131
106
0.36
0.34
0.33
0.34
0.37
0.40
0.43
0.47
0.50
0.51
0.52
0.54
0.55
0.57
0.57
0.57
0.56
49
64
74
85
93
99
103
106
108
110
114
118
122
126
129
132
142
Caution S-parameters include bond wires.
Gate
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Drain
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Source: No bond wires.
Wire
: 25
μ
m diameter, gold.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE960R2 | 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R275 | 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R5 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE961R500 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE962R575 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE960R575_01 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5W X, Ku-BAND POWER GaAs FET |
| NE961R200 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE961R500 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE962R575 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE97733 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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