參數(shù)資料
型號(hào)： NE960R2
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.2蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： NE960R2
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
7
NE960R2 SERIES
PACKAGE DIMENSIONS
PACKAGE CODE-75 (Unit: mm)
1.8
2.7
7.0
9.8 MAX.
0
0.5
Gate
2
1
2
2
3
3
φ
Drain
PHYSICAL DIMENSIONS
NE960R200 (CHIP) (Unit:
μ
m)
NE961R200 (CHIP) (Unit:
μ
m)
G
D
Source
285
80
150
880
80
150
80
285
285
9
9
9
9
5
Remark
Chip thickness
G
D
Source is grounded through via hole.
: 100 m
: Gate
: Drain
G
D
Source
285
80
150
880
80
150
80
285
285
9
9
9
9
5
Remark
Chip thickness
G
D
: 140 m
: Gate
: Drain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE960R275 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R5 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R500 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE962R575 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE97733 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE960R200 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R275 功能描述:射頻GaAs晶體管 X KU Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE960R275_01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
NE960R5 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R500 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*