參數(shù)資料
型號(hào)： NE960R2
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.2蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： NE960R2
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
6
NE960R2 SERIES
[NE961R200]
TEST CONDITIONS: V
DS
= 9 V, I
Dset
= 90 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
0.85
0.80
0.78
0.77
0.77
0.76
0.74
0.74
0.74
0.74
0.74
0.76
0.77
0.77
0.78
0.77
0.78
92
114
128
142
143
146
149
152
157
163
171
176
178
175
172
168
164
8.08
3.83
3.17
2.64
2.25
1.99
1.71
1.60
1.47
1.37
1.29
1.25
1.06
0.96
0.89
0.88
0.68
152
146
135
108
80
52
28
2
30
57
83
107
131
167
162
134
107
0.056
0.058
0.060
0.064
0.067
0.066
0.065
0.082
0.072
0.076
0.102
0.074
0.113
0.098
0.114
0.115
0.165
112
136
172
154
117
88
40
11
29
70
107
133
180
165
117
76
55
0.40
0.36
0.34
0.33
0.34
0.37
0.40
0.44
0.47
0.49
0.50
0.52
0.52
0.53
0.54
0.52
0.52
39
52
60
70
80
87
94
98
99
103
107
111
117
122
127
131
141
Caution S-parameters include bond wires.
Gate
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Drain
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Source: Total 4 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Wire
: 25
μ
m diameter, gold.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE960R275 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R5 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R500 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE962R575 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE97733 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE960R275_01 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
NE960R5 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R500 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
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