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參數(shù)資料
| 型號： | NE960R2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| 中文描述： | 0.2蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | NE960R2 |
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
5
NE960R2 SERIES
[NE960R200]
TEST CONDITIONS: V
DS
= 9 V, I
Dset
= 90 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
0.87
0.84
0.82
0.82
0.82
0.81
0.79
0.77
0.79
0.80
0.80
0.82
0.84
0.83
0.84
0.83
0.84
97
117
131
139
145
148
150
153
157
162
169
176
178
178
175
173
170
7.60
3.84
2.98
2.46
2.10
1.85
1.57
1.45
1.33
1.23
1.17
1.13
0.95
0.83
0.78
0.74
0.59
166
147
135
109
82
54
29
1
30
56
82
104
129
165
165
137
112
0.061
0.062
0.065
0.069
0.069
0.064
0.059
0.072
0.059
0.057
0.070
0.043
0.061
0.048
0.049
0.044
0.061
104
124
159
173
141
118
72
47
13
24
56
79
128
137
172
131
106
0.36
0.34
0.33
0.34
0.37
0.40
0.43
0.47
0.50
0.51
0.52
0.54
0.55
0.57
0.57
0.57
0.56
49
64
74
85
93
99
103
106
108
110
114
118
122
126
129
132
142
Caution S-parameters include bond wires.
Gate
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Drain
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Source: No bond wires.
Wire
: 25
μ
m diameter, gold.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE960R275 | 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R5 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE961R500 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE962R575 | 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NE960R275 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 X KU Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| NE960R275_01 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET |
| NE960R5 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE960R500 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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