參數(shù)資料
型號： NE76000
廠商： NEC Corp.
英文描述： LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
中文描述： 低噪聲L降至Ku波段功率GaAs MESFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： NE76000
Parameters
VTO
VTOSC
ALPHA
BETA
GAMMA
GAMMADC
(2)
Q1
-0.73
0
4
0.063
0
0.06
2.2
0.7
0.626
1.98e-11
1.4
0
0
3.2e-12
0.11e-12
Infinity
0
0.4e-12
0.04e-12
0.3
0.2
0.5
Infinity
Parameters
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
Q1
0
0
0
0
0
1
27
3
1.43
0
0
1
Q
DELTA
VBI
IS
N
RIS
RID
TAU
CDS
RDB
CBS
CGSO
(3)
CGDO
(4)
DELTA
1
DELTA
2
FC
VBR
Parameter
capacitance
inductance
resistance
Units
picofarads
nanohenries
ohms
NE76000 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
(1) Series IV Libra TOM Model
The parameter in Libra corresponds to the parameter in PSpice:
(2) GAMMADC
(3) CGSO
(4) CGDO
GAMMA
CGS
CGD
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
UNITS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.05 to 26 GHz
V
DS
= 3 V, I
D
= 10 mA
8/30/96
NE76000
LG
RG
1.5
76000
RD
2
R_COMP
480
CRF_X
100
RS
4.6
LS
0.02
SOURCE
0.06
DRAIN
LD
0.14
GATE
Q1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE76000L LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
NE76084 C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-SL C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1 C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1A C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
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參數(shù)描述
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NE76038 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET
NE76038-T1 功能描述:MOSFET DISC BY NEC 5/99 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE76084 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
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