參數(shù)資料
型號： NE76000
廠商： NEC Corp.
英文描述： LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
中文描述： 低噪聲L降至Ku波段功率GaAs MESFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 52K
代理商： NE76000
NE76000
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.05 to 26 GHz
V
DS
= 3 V, I
D
= 10 mA
7/19/96
Parameter
capacitance
inductance
resistance
conductance
Units
picofarads
nanohenries
ohms
millisiemans
UNITS
SCHEMATIC
NE76000 LINEAR MODEL
LG
GATE
DRAIN
SOURCE
0.155
2.5
0.25
0.035
2
0.05
220
RG
RI
2
RS
3
LS
0.02
CDG
CGS
RDS
CDS
0.085
g= 46ms
f= 200GHz
t= 2psec
GGS
1E-6
CDC
0.035
RD
LD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE76000L LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
NE76084 C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-SL C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1 C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE76084-T1A C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE76000L 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
NE760084 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
NE76038 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET
NE76038-T1 功能描述:MOSFET DISC BY NEC 5/99 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE76084 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*