參數(shù)資料
型號(hào)： NE722S01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： 鄰舍C至X波段N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： NE722S01-T1
NE722S01
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
GHz
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
16.5
17.0
17.5
18.0
MAG
0.896
0.851
0.799
0.753
0.705
0.666
0.625
0.586
0.553
0.521
0.497
0.489
0.501
0.519
0.540
0.562
0.575
0.589
0.602
0.619
0.633
0.666
0.690
0.715
0.740
0.769
0.780
0.778
0.774
0.759
0.750
0.739
0.741
ANG
-48.3
-61.5
-74.1
-86.1
-97.0
-107.3
-117.5
-128.3
-140.6
-154.2
-169.4
175.8
162.9
151.0
140.4
131.2
123.2
114.3
105.5
96.4
88.0
80.9
75.2
70.0
66.4
62.0
57.0
52.5
48.2
42.7
38.1
33.9
30.2
MAG
3.721
3.606
3.449
3.275
3.102
2.957
2.834
2.724
2.627
2.522
2.402
2.281
2.176
2.062
1.963
1.865
1.786
1.709
1.637
1.554
1.480
1.400
1.321
1.241
1.169
1.101
1.021
0.945
0.888
0.824
0.767
0.721
0.672
ANG
134.0
122.4
111.3
101.1
91.6
82.7
74.0
65.3
56.8
47.7
39.0
30.5
22.5
14.5
6.8
-0.7
-7.8
-15.4
-22.9
-30.2
-37.4
-44.5
-51.1
-57.9
-64.2
-70.8
-77.1
-82.6
-88.0
-93.4
-98.3
-102.3
-106.6
MAG
0.063
0.077
0.086
0.095
0.102
0.106
0.111
0.115
0.122
0.125
0.128
0.128
0.131
0.135
0.139
0.142
0.146
0.151
0.156
0.161
0.163
0.168
0.171
0.173
0.173
0.174
0.178
0.175
0.176
0.176
0.174
0.175
0.176
ANG
59.9
53.2
45.1
39.6
34.1
29.5
24.9
20.6
17.0
12.6
8.5
5.0
1.8
-1.2
-3.4
-6.8
-9.9
-12.8
-16.7
-20.5
-23.9
-27.4
-30.5
-33.9
-37.3
-41.0
-45.3
-48.6
-51.4
-56.1
-58.3
-61.1
-63.3
MAG
0.547
0.519
0.489
0.464
0.443
0.431
0.419
0.406
0.390
0.366
0.334
0.296
0.267
0.234
0.209
0.206
0.221
0.246
0.265
0.285
0.299
0.303
0.307
0.326
0.358
0.396
0.450
0.494
0.540
0.578
0.601
0.604
0.599
ANG
-29.6
-37.4
-45.4
-52.6
-59.5
-65.5
-71.5
-76.9
-82.2
-88.2
-93.4
-99.7
-106.8
-117.8
-132.7
-150.0
-164.3
-177.2
173.7
166.1
158.1
149.9
139.1
127.4
116.2
106.2
99.5
94.8
92.0
89.4
86.3
84.0
79.2
NE722S01
V
DS
= 3.0 V, I
DS
= 30 mA
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
Note:
1. Gain Calculation:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE722S01-T1B1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430-T1 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73435 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE722S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73412 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-72
NE73416 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | CAN
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