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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE722S01-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 鄰舍C至X波段N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | NE722S01-T1 |
NE722S01
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Input Power, P
in
(dBm)
O
o
(
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
V
DS
= 3.0 V, I
D
= 30 mA
f
in
= 12 GHz
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
10
5
0
-5
-10
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE722S01-T1B1 | NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE734 | NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| NE73430 | NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| NE73430-T1 | NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| NE73435 | NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE722S01-T1B | 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE722S01-T1B1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE734 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| NE73412 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-72 |
| NE73416 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | CAN |
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