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參數(shù)資料
| 型號： | NE71383B |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | NE71383B |
3
NE713
CHIP DIMENSIONS (Unit:
μ
m) [NE71300]
64
123
76
450
60
4
5
1
4
52
44
56
57
48
18
Source
Source
Gate
Gate
Drain
Drain
7
6
1
1
Thickness = 140
μ
m
: BONDING AREA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE713 | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE71300-L | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE71300-N | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE72218 | C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NE720AZDC6V | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability. |
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