參數(shù)資料
型號(hào)： NE71300-N
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/16頁
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代理商： NE71300-N
GaAs MES FET
NE713
L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER
N-CHANNEL GaAs MES FET
DATA SHEET
Document No. P11691EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published February 1997 N
Printed in Japan
1996
FEATURES
x
Low noise figure
NF = 0.6 dB TYP. at f = 4 GHz
x
High associated gain
Ga = 14 dB TYP. at f = 4 GHz
x
Gate width: Wg = 280
P
m
x
Gate Length: Lg = 0.3
P
m
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
I
DSS
(mA)
PACKAGE CODE
NE71300-N
20 to 50
00 (CHIP)
NE71300-M
50 to 80
NE71300-L
80 to 120
NE71383B
20 to 120
83B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 °C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Gate to Drain Voltage
Drain Current
Total Power Dissipation
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
D
P
tot
5.0
e
5.0
e
6.0
I
DSS
270
400
175
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
[NE71383B]
[NE71300]
Channel Temperature
Storage Temperature
T
ch
T
stg
e
65 to +175
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (T
A
= 25 °C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
3
4
V
Drain Current
I
D
10
30
mA
Input Power
P
in
15
dBm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE72218 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T1 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T2 RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE71383B 功能描述:MOSFET KU-K BAND MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE720 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
NE720_05 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
NE720AZDC12V 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
NE720AZDC24V 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
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