參數(shù)資料
型號(hào): NE71300-N
廠商: NEC Corp.
英文描述: L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述: L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/16頁(yè)
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代理商: NE71300-N
3
NE713
CHIP DIMENSIONS (Unit:
μ
m) [NE71300]
64
123
76
450
60
4
5
1
4
52
44
56
57
48
18
Source
Source
Gate
Gate
Drain
Drain
7
6
1
1
Thickness = 140
μ
m
: BONDING AREA
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PDF描述
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參數(shù)描述
NE71383B 功能描述:MOSFET KU-K BAND MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE720 制造商:DBLECTRO 制造商全稱(chēng):DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
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NE720AZDC12V 制造商:DBLECTRO 制造商全稱(chēng):DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
NE720AZDC24V 制造商:DBLECTRO 制造商全稱(chēng):DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.