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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE71300 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
| 中文描述： | 低噪聲L至K波段GaAs MESFET器件 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | NE71300 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
V
DS
Drain to Source Voltage
V
5
V
GD
Gate to Drain Voltage
V
-6
V
GS
Gate to Source Voltage
V
-5
I
DS
Drain Current
mA
I
DSS
P
IN
RF Input (CW)
dBm
+15
T
CH
Channel Temperature
°
C
175
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +175
P
T2
Total Power Dissipation
mW
400
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in
permanent damage.
2. With chip mounted on a copper heat sink.
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
DC PERFORMANCE
Drain Voltage, V
DS
(V)
D
D
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage, V
GS
(V)
D
D
T
T
(
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
POWER DERATING CURVE
NE71300
400
300
200
100
0
50
100
150
200
N730
50
V
DS
= 3 V
40
30
20
10
0-2.0
-1.0
0
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
-0.6 V
-0.4 V
-0.2 V
V
GS
= 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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